epitaxial layer中文是什么意思

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用"epitaxial layer"造句"epitaxial layer"怎么读"epitaxial layer" in a sentence

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取向附生层
外延层
外延生长膜

"layer"中文翻译 n. 1.放置者，铺设者，计划者。 2.【赛马】(一般) ...
"layer, epitaxial" 中文翻译 : 外延层
"liquid phase epitaxial layer" 中文翻译 : 液相外延生长层
"atomic layer epitaxial growth system" 中文翻译 : 原子层磊晶生长系统
"epitaxial" 中文翻译 : 晶膜; 取向附生的，外延的; 外延的
"epitaxial backfill" 中文翻译 : 外延后填
"epitaxial bath" 中文翻译 : 外延槽
"epitaxial body" 中文翻译 : 外延衬底
"epitaxial boundary" 中文翻译 : 定向连生边界
"epitaxial collector" 中文翻译 : 外延集电极
"epitaxial crystallization" 中文翻译 : 外延结晶，附生结晶
"epitaxial cvd" 中文翻译 : 外延化学汽相淀积
"epitaxial deposition" 中文翻译 : 外延沉积; 外延淀积
"epitaxial device" 中文翻译 : 晶膜设备; 外延型器件
"epitaxial diffuse" 中文翻译 : 外延扩散
"epitaxial diode" 中文翻译 : 外延二极管
"epitaxial dislocation" 中文翻译 : 取向附生位错
"epitaxial effect" 中文翻译 : 外延生长作用
"epitaxial film" 中文翻译 : 晶膜薄膜; 外延膜; 外延生长膜
"epitaxial furnace" 中文翻译 : 外延炉; 外延生长炉
"epitaxial growth" 中文翻译 : 取向附生，外延生长; 外延晶体生长，附生晶体生长; 外延生长
"epitaxial inheritance" 中文翻译 : 外延继承
"epitaxial interface" 中文翻译 : 外延界面
"epitaxial junction" 中文翻译 : 外延结; 外延生长结
"epitaxial laser" 中文翻译 : 外延半导体激光器

例句与用法

Commercial gaas epitaxial layers are of good enough quality that losses due to material and interface perturbations are negligible .
市售GaAs外延层的质量相当高，故其材料和界面起伏引起的损耗可忽略不计。
A study of sige si epitaxial layers growth at the low temperature
类铁电薄膜低温外延层状生长研究
Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference
砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
Test method for resistivity of silicon epitaxial layers by area contacts three - probe techniques
硅外延层电阻率的面接触三探针.测试方法
Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration - voltage - capacitance method
砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
Testing of materials for semiconductor technology - determination of defect types and defect densities of silicon epitaxial layers
半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层缺陷种类和缺陷密
Testing of semi - conductive inorganic materials ; measuring the thickness of silicon epitaxial layer thickness by infrared interference method
半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长
Commercial gaas epitaxial layers are of good enough quality that losses due to material and interface perturbations are negligible
市售gaas外延层的质量相当高，故其材料和界面起伏引起的损耗可忽略不计。
The epitaxial layer quality of gaalinp has been specified so well by double - crystal x - ray diffraction that there are many and strong interference in the picture
在掺杂上成功消除mg的记忆效应，使得器件各外延层杂质浓度达到设计的掺杂水平。
The two structure ldmos was compared by simulation with medici software . the result is that their breakdown voltage is almost the same and the thin epitaxial layer ldmos ? ron is lower
通过medici模拟对两种器件进行比较，结果为两种器件耐压相当，薄外延ldmos导通电阻略低。